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      三種生長SiC單晶用SiC粉體制備方法的優缺點

      文章出處:粉體圈網責任編輯:作者:小吉人氣:-發表時間:2022-09-08 17:45:00【

      生長SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,其中雜質含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中,氣相法通過控制氣源中的雜質含量可以獲得純度較高的SiC粉體;液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長需要的SiC粉體;固相法中的改進自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣,合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。


      目前合成單晶生長用高純SiC的方法并不多,以CVD法和改進的自蔓延合成法為主,其中氣相法合成的粉體多為納米級,生產效率低,無法滿足工業需求;同時,固相法制備過程的眾多雜質中,N元素的含量一直居高不下。后續應該在高純SiC粉體粒徑和晶型對晶體生長的影響方面進行深入研究,從而加強對高純SiC粉體形狀、粒度、粒徑分布等參數的有效控制,并且對如何減少高純SiC粉體中N元素的含量還需進一步的研究。

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