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      國內碳化硅功率器件離正式量產還有一段距離

      文章出處:半導體材料與工藝設備網責任編輯:作者:MRC人氣:-發表時間:2022-09-22 16:16:00【

      碳化硅生產過程主要包括碳化硅單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟,對應的是碳化硅產業鏈襯底、外延、器件三大環節。

      我們把SiC器件發展分為三個發展階段,2019-2021年初期,特斯拉等新能源汽車開始試水搭載SiC功率器件;2022-2023年為拐點期,SiC在新能源汽車領域的應用已經達到了批量生產的臨界區域,并且充電基礎設施、5G基站、工業和能源等應用逐步采用SIC器件;2024-2026年為爆發期,SIC加速滲透,在新能源汽車、充電基礎設施、5G基站、工業和能源等得到廣泛應用。

      當前,碳化硅MOSFET制備技術要求較高,碳化硅MOSFET采用溝槽結構可最大限度地發揮SiC的特性,柵級氧化物形成技術挑戰較高。平面SiCMOSFET的缺陷密度較高,MOSFET溝道中電子散射降低溝道電子遷移率從而使得性能下降,即溝道電阻上升、功率損耗上升而溝道電流下降。由于SiCMOSFET的N+源區和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進行退火激活,一個關鍵的工藝是SiCMOSFET柵氧化物的形成,而碳化硅材料中同時有Si和C兩種原子存在,因此需要非常特殊的柵介質生長方法。目前英飛凌、ST、羅姆等國際大廠600-1700V碳化硅SBD、MOSFET均已實現量產,而國內所有碳化硅MOSFET器件制造平臺仍在搭建中,部分公司的產線仍處于計劃階段,離正式量產還有很長一段距離。

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